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全部 A·重要 B·普通 #HBM ✕
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【美光科技：2027财年上半年资本支出约为250亿美元 下半年将更高】10月1日电，美光科技预计2027财年上半年的资本支出约为250亿美元，下半年将更高，且大部分增量将用于新建晶圆厂（建筑支出）而非单纯的设备采购。美光科技CFO Mark Murphy解释称，这完全是因为长单提供了足够的需求能见度，且新建绿地工厂需要极长的提前量。
#晶圆#美股动态#存储芯片#HBM10-01 10:21
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【美光科技CEO：HBM需求增速将持续跑赢传统DRAM直至2028年】10月1日电，美光科技董事长兼CEO Sanjay Mehrotra在财报电话会上表示，结构性的供需增长率差距导致了持续的供应紧张，即使考虑到行业新增的DRAM洁净室空间计划，在强劲的需求趋势（包括客户不断提出的增量要求）下，我们看不到供需何时能恢复平衡的拐点。行业HBM需求增速将持续跑赢传统DRAM直至2028年。Sanjay Mehrotra透露，美光2027年HBM的大部分供应已经签订协议，“价格同比大幅上涨，这缩小了（HBM）与传统DRAM之间的毛利率差距。”
#TMT行业观察#HBM#美股动态#存储芯片10-01 10:14
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【机构：上修2027年HBM价格展望 预估ASP年增达121%】9月29日电，集邦咨询（TrendForce）最新研究显示，AI服务器需求持续扩张，HBM与Conventional DRAM仍竞逐有限的先进制程及晶圆产能，加上新一代产品的良率与产出提升仍需时间，预估2027年存储器供应将持续吃紧。在整体存储器价格维持上行趋势的情况下，供应商对2027年HBM涨价态度亦更为明确，为反映整体供应持续紧张，以及高价HBM4占比提升、HBM4e于2027年下半年逐步放量所带来的影响，TrendForce集邦咨询上修明年HBM价格展望，预估Blended ASP年增幅度将达121%。
#服务器#晶圆#人工智能#存储器#HBM09-29 14:04
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9月29日电，三星电子高管表示，HBM明年将占DRAM芯片制造商总晶圆产能的近30%，而目前约为20%。
#芯片#三星#晶圆#半导体芯片#HBM09-29 08:38
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【DeepSeek V4.1 Flash模型正式发布】9月10日电，DeepSeek正式发布DeepSeek V4.1 Flash模型。这是公司全新模型结构系列中的最小尺寸的模型，具备原生多模态视觉理解能力。据介绍，新一代模型大幅减少了KV Cache缓存的大小，与上一代模型相比，对HBM的需求减少到1/4，对SSD的需求减少到1/8。在Agent使用场景中，缓存命中的费用往往占比较高，对KV Cache的压缩大幅降低了Agent类任务的使用成本。
#DeepSeek V4#DeepSeek#Agent#多模态#期货市场情报#HBM09-10 14:07
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【台积电将微通道散热技术纳入研发蓝图】《科创板日报》2日讯，台积电先进封装研发处长陈燕铭表示，微通道（Microchannel）散热技术通过在晶片或封装结构内设置微型流体通道，让冷却液更接近热源，有助提高热传效率，台积电已开始导入相关技术，并计划与封装架构共同开发。陈燕铭还称，台积电可整合24颗HBM、面积大于14倍光罩尺寸的CoWoS版本预计2029年实现。从2024年至2029年，单一CoWoS封装可整合的AI运算晶体管数量将增长逾48倍，HBM带宽规模则增加34倍，凸显散热技术必须同步升级。
#台积电#人工智能#HBM#先进封装09-02 08:58
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【三星正为英伟达开发8层HBM4E】《科创板日报》31日讯，据报道，三星电子正配合英伟达要求开发8层第七代高带宽存储器（HBM4E），较原计划的12层、16层方案显著降低堆叠高度，英伟达提出的速度规格为17-18Gbps，较三星初期HBM4E 14.4Gbps的样品速度高出约20%，该产品据悉将用于NVHBM。 (首尔经济日报)
#英伟达#三星#HBM#存储器08-31 13:18
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【SK海力士考虑将部分HBM基础裸片交由英特尔生产】《科创板日报》31日讯，SK海力士正考虑将部分HBM基础裸片（Base Die）交由英特尔生产，借此减少对台积电晶圆代工的依赖，该计划预计将从第七代HBM芯片HBM4E开始。分析指出，对于HBM4而言，台积电的基础裸片价格比SK海力士采用其10nm级第五代工艺生产的核心芯片高出3到4倍。预计成本负担在向HBM4E过渡时还会进一步增加。鉴于HBM的长期供货合同（LTA）比例很高，公司很难立即将代工成本的增加转嫁到产品价格上，故需建立多供应商体系从而提高价格谈判能力。 (Herald)
#英特尔#台积电#芯片#晶圆#半导体芯片#HBM#存储芯片08-31 11:46