SK Hynix 将于 2025 年采用 3 纳米工艺生产 HBM4 芯片

SK海力士计划使用台积电的3纳米工艺生产第六代高带宽内存芯片（HBM4），从而改变了最初使用5纳米技术的计划。据《韩国经济日报》报道，这些芯片将于2025年下半年交付给英伟达公司，英伟达的GPU产品目前基于4纳米HBM芯片。

SKHynix于3月份推出的HBM4原型芯片在3纳米芯片上实现了垂直堆叠。与5纳米基础芯片相比，基于3纳米的新型HBM芯片预计将提高20-30%的性能。不过，SKHynix的通用HBM4和HBM4E芯片将继续使用与台积电合作的12纳米工艺。

虽然SKHynix的第五代HBM3E芯片使用的是自己的基础芯片技术，但该公司已为HBM4选择了台积电的3纳米技术。预计这一决定将大大拉大与竞争对手三星电子的性能差距，后者计划使用4纳米工艺制造HBM4芯片。

SKhynix目前在全球HBM市场处于领先地位，占有近50%的市场份额，其大部分HBM产品已交付给英伟达公司（NVIDIA）。