台积电将在今年年底前获得ASML的High-NA EUV光刻机 成本高达3.5亿美元

台湾半导体巨头台积电将在2024年底之前从ASML接收首批High-NA秒级EUV光刻设备，这标志着台积电将向下一代工艺过渡。半导体竞赛中的"三巨头"三星、英特尔和台积电都希望获得ASML的High-NA设备。

最初有消息称，台积电并没有收购ASMLHigh-NA技术的计划，主要原因是在台积电的台湾工厂整合设备和安置机器的相关成本较高。但是，此前的一份报告披露，台积电的设施升级计划正在按部就班地进行，以保持行业平衡。

《日经亚洲》报道称，台积电的High-NA设备预计将于今年交付，这家台湾巨头可能将成为首批获得该设备的公司之一。据悉，台积电将接收ASML的TwinscanEXE:5000High-NA光刻设备，其分辨率为8纳米，EUV光波长为13.5纳米。该系统将使芯片制造商生产的芯片体积缩小1.7倍，晶体管密度提高2.9倍。ASML表示，TwinscanEXE:5000拥有业界最高的生产率，因此对于这家台湾巨头来说，是成为下一个大赢家的必由之路。

台积电购买单单一台这种机器的成本就高达约3.5亿美元，在实施方面，台积电的High-NAEUV将在该公司计划于2027年量产的1.4纳米（A14）工艺中大显身手。考虑到英特尔正计划购买五到六台高NAEUV设备，后者也正全力以赴发展下一代工艺。