AMD Ryzen 7 9800X3D的CCD位于3D V-Cache芯片的顶部而不是底部

在AMD发布的Ryzen79800X3D预告材料中，"X3DReimagined"（X3D重塑）这一流行语反复出现，让我们不禁猜测它可能是什么。硬件泄密的可靠消息来源9550pro称，AMD重新设计了CPU复杂芯片（CCD）和3DV-cache芯片（L3D）的堆叠方式。

在前几代X3D处理器（如5800X3D"Vermeer-X"和7800X3D"Raphael-X"）中，L3D堆叠在CCD的顶部。它堆叠在CCD中央区域的上方，该区域有32MBL3高速缓存，而结构硅块则放置在CCD边缘的上方，该区域有CPU内核，这些结构硅块的重要任务是将CPU内核的热量传递到上方的IHS。

如果泄露的信息属实，那么AMD将在9000X3D系列中倒置CCD-L3D堆栈，这样，"Zen5"CCD现在位于顶部，L3D位于其下方，在CCD的中央区域之下。现在，CPU内核向IHS散热，就像没有3DV-cache技术的普通9000系列处理器一样。 

我们认为他们实现这一目标的方法是扩大L3D，使其与CCD的尺寸一致，并作为一种"基片"。在L3D上必须铺设TSV，将CCD与下面的玻璃纤维基板连接起来。我们知道AMD未来的发展方向。现在，L3D"基片"包含64MB3DV缓存，它被附加到32MB片上L3缓存中，但在未来（很可能是"Zen6"），AMD可能会为每个内核的L2缓存设计带有TSV的CCD。

这一猜测也完美解释了"X3Dboost"的含义。由于CCD与IHS的直接接触方式与非X3D处理器相同，因此X3D处理器可以拥有与普通芯片相同的超频能力。由于散热障碍大大减少，AMD可以继续为这些芯片提供与普通芯片相同的TDP和PPT值，以及更高的时钟速度。过去，该公司在X3D处理器的PPT和时钟速度方面比较保守。

AMD预计将于2024年11月7日推出Ryzen79800X3D。