2024年HBM供应量预计增长260% 占DRAM产业的14%

TrendForce报告称，由于HBM的高平均售价和盈利能力，内存领域发生了大量资本投资。高级副总裁AvrilWu指出，到2024年底，DRAM行业预计将分配约250K/m(14%)的总产能用于生产HBMTSV，预计年度供应位增长约为260%。此外，HBM在DRAM行业的收入份额（2023年约为8.4%）预计到2024年底将增至20.1%。

Wu解释说，就HBM和DDR5的生产差异而言，HBM的裸片尺寸通常比相同工艺和容量的DDR5大35-45%（例如，24Gb与24Gb相比）。HBM的良率（包括TSV封装）比DDR5大约低20-30%，生产周期（包括TSV）比DDR5长1.5到2个月。

由于HBM从晶圆开始到最终封装的生产周期较长，需要两个季度以上，因此渴望充足供应的买家需要提前锁定订单。

 TrendForce获悉，2024年大部分订单已提交给供应商，除非验证失败，否则不可取消。三星和SKhynix的HBM生产计划在今年年底前最为激进。预计到年底，三星的HBM总产能将达到13万片左右（包括TSV）；SKhynix约为12万片，但产能可能会根据验证进度和客户订单而变化。

关于目前主流HBM3产品的市场份额，SKhynix占据了HBM3市场90%以上的份额，而随着AMD的MI300在未来几个季度的逐步发布，三星预计将紧随其后。