2nm时代来临：ASML本周交付第三代EUV光刻机

本周，ASML交付了第三代极紫外(EUV)光刻工具TwinscanNXE:3800E，其投影镜头的数值孔径为0.33。与现有的TwinscanNXE:3600D机器相比，该系统显着提高了性能。它专为制造采用前沿技术的芯片而设计，包括未来几年的3nm、2nm和小节点。

ASMLTwinscanNXE:3800E代表了低数值孔径EUV光刻技术在性能（每小时处理的晶圆数量）和匹配的加工覆盖方面的飞跃。新系统每小时可在30mJ/cm^2剂量下处理超过195个晶圆，并有望通过吞吐量升级将性能进一步提高至220wph。此外，新工具还提供小于1.1nm的匹配机器覆盖（晶圆对准精度）。

ASML在X上发布的一份声明中透露：“芯片制造商需要速度。第一台TwinscanNXE:3800E现已安装在一家芯片工厂中。凭借其新的晶圆台，该系统将为打印先进芯片技术提供领先的生产力。”我们正在将光刻技术推向新的极限。”

在为逻辑制造商生产采用4nm/5nm和3nm级工艺技术的芯片时，吞吐量的增加将提高TwinscanNXE:3800E机器的经济效益。ASMLTwinscanNXE:3800E的性能改进预计将显着缓解EUV技术的主要缺点之一，即性能相对较低，从而实现更高效、更具成本效益的芯片生产。这将使依赖EUV的工艺技术更容易被预算不像苹果、AMD、英特尔、英伟达和高通那样庞大的芯片设计者所接受。此外，该工具对于美光、三星和SK海力士等内存制造商也至关重要。

此外，TwinscanNXE:3800E的增强性能对于采用2nm以及需要EUV双图案化的后续制造技术制造芯片特别有用。匹配机器覆盖层的改进将有利于3nm以下生产节点。

（图片来源：ASML）

然而，像NXE:3800E这样的机器的复杂性和功能的代价是高昂的成本，每台的价格约为1.8亿美元。如此高的成本意味着这些光刻工具的成本需要一段时间才能折旧。然而，对于ASML的客户（包括一组精选的重要逻辑和内存制造公司）来说，NXE:3800E提供了一条增强其尖端芯片生产能力的途径。这对于这些公司来说至关重要，因为他们努力满足全球对半导体不断增长的需求，扩大生产能力并管理芯片制造的经济性。引入NXE:3800E等更先进、更高效的EUV扫描仪对于实现这些目标至关重要。

展望未来，ASML并没有满足于现状，计划以TwinscanNXE:4000F的形式进行进一步创新，这是另一代低数值孔径EUV扫描仪，预计于2026年左右发布。这一持续开发强调了ASML致力于推进低数值孔径的承诺-NAEUV制造技术，尽管即将采用高数值孔径光刻工具。