NVIDIA据称正在测试SK Hynix的12层HBM3E原型样品

韩国科技业内人士认为，SKHynix已经向英伟达（NVIDIA）发送了"12层DRAM堆叠HBM3E（第5代HBM）"原型样品。根据ZDNet.co.kr的一篇文章，最初的样品已于上个月发货。

2023年年中的报道称，NVIDIA在夏季前后获得了8层HBM3E（第4代）单元的样品，SKHynix也很快收到了批准通知。另一家韩国媒体DealSite认为，英伟达的内存认证流程暴露了多家制造商的HBM产量问题。SK海力士、三星和美光在HBM3E领域展开了激烈的竞争，希望能将各自的产品应用到英伟达的H200AIGPU上。

DigiTimesAsia称，SKHynix准备在本月某个时间点"开始量产第五代HBM3E"。业内人士认为，SKHynix的良品率足以通过NVIDIA的早期认证，先进的12层样品有望在不久的将来获得批准。

ZDNet认为，SKHynix的发展势头使其处于有利地位："（他们）在去年下半年提供了8层HBM3E样品，并通过了最近的测试。虽然官方时间表尚未公布，但预计最早将于本月开始量产。此外，SKHynix上个月还向英伟达提供了12层HBM3E样品。该样品属于极早期版本，主要用于建立新产品的标准和特性。SKHynix将其称为UTV（UniversalTestVehicle）。由于海力士已经完成了8层HBM3E的性能验证，预计12层HBM3E的测试不会花费太多时间"

SKHynix副总裁最近透露，公司2024年的HBM产能已经预定一空，领导层已经在为2025年及以后的创新做准备。