摘要：
中国存储芯片企业长鑫存储（CXMT）预计将在2026年底前正式启动HBM3E高带宽内存量产，标志着中国本土厂商首次进入先进HBM市场。这一进展被视为中国人工智能产业链提升自主供应能力的重要里程碑。
根据业内最新消息，长鑫存储计划在未来两个月内启动HBM3E量产。今年8月，公司已经开始HBM3E风险试产，并向部分客户提供样品。如今，相关产品正逐步向商业化阶段推进。
HBM是当前人工智能加速器、数据中心GPU以及高性能计算系统最关键的存储技术之一。由于能够提供远高于传统DRAM的带宽，HBM已成为训练和运行大型人工智能模型不可或缺的核心组件。目前全球HBM市场主要由SK海力士、三星电子和美光掌控。
按照JEDEC标准，HBM3E采用1024位总线设计，单引脚传输速度可达到9.2Gbps至12.4Gbps，主流配置通常为9.6Gbps。其总带宽约为1.2TB/s，可提供24GB至36GB容量配置，其中包括8层堆叠和12层堆叠两种主流方案。
不过，量产对于长鑫存储而言并非易事。业内消息显示，当前HBM3E仍面临良率挑战。由于HBM采用多层DRAM晶粒通过TSV硅通孔技术进行垂直堆叠，对制造和封装工艺要求极高，因此良率成为制约产能扩张的重要因素。
消息人士透露，目前长鑫存储HBM3E整体良率约为20%至30%，明显低于国际领先厂商水平。其中，前段晶圆制造阶段良率约30%，进入后段封装后可进一步获得约70%的合格率提升，但最终整体良率仍有较大改进空间。
业内分析认为，长鑫存储当前最大的技术挑战来自TSV技术成熟度。与国际厂商相比，其堆叠工艺仍有一定差距。例如，三星在HBM2时代单层使用约5000个TSV连接，而SK海力士在HBM3产品上已超过8000个。长鑫存储则尝试利用约3000个TSV实现HBM3E设计，这对制造精度和可靠性提出了更高要求。
受限于相关技术因素，长鑫存储短期内预计将专注于8层堆叠HBM3E产品，暂时不会向容量更大的12层堆叠产品快速推进。
与此同时，多家消息机构披露，长鑫存储已经向国内AI芯片企业提供了两种版本的HBM3E样品，其中包括标准版本以及针对良率进行优化的新版本。相关样品目前正在客户侧进行测试和验证。
性能层面，初步测试显示，长鑫存储目前HBM3E产品整体表现更接近SK海力士上一代HBM3，而与国际先进HBM3E产品相比仍存在差距。不过业内人士指出，对于刚刚进入HBM赛道的厂商而言，实现量产本身已是重大突破。
分析人士认为，即使当前良率不高，长鑫存储仍有动力继续推进量产。随着中国AI芯片厂商对高带宽内存需求快速增长，本土HBM供应来源的重要性正在持续提升。面对先进AI存储供应紧张以及进口限制带来的压力，国内市场对于HBM产品存在明显需求。
近期市场已经出现AI芯片价格上涨现象，高带宽内存供应被普遍视为重要原因之一。包括阿里巴巴平头哥、寒武纪等芯片企业此前均被曝测试国产HBM解决方案，希望降低对海外供应链的依赖。
业内预计，如果客户验证顺利，采用长鑫存储HBM3E的国产AI加速器产品最快有望于2027年进入市场。尽管与全球领先厂商相比仍存在一至两代技术差距，但长鑫存储进入HBM领域意味着中国本土AI硬件生态正在补齐关键拼图，并开始向高端人工智能存储市场发起挑战。
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