“DRAM+”非易失性存储器即将出现 将DRAM速度与闪存持久性相结合

FerroelectricMemoryCo.(FMC)和Neumonda已建立合作伙伴关系，寄希望于将“DRAM+”商业化，这是一种将DRAM的速度与非易失性数据保留相结合的铁电(FeRAM)内存架构。

该技术用铁电氧化铪(HfO₂)元件替代传统电容器，可在无需电源的情况下实现持久存储，同时保持纳秒级的访问时间。这种混合技术解决了高速DRAM与NAND闪存等存储级内存之间的性能差距。

与英飞凌和奇梦达之前在欧洲开展的DRAM合资企业未能满足商品内存经济性要求不同，FMC瞄准的是重视持久性和能效的专业应用。基于HfO₂的方法解决了之前使用锆钛酸铅(PZT)的FeRAM内存实现的局限性，这些内存无法扩展到兆字节以上的容量。

现在，原型展示了千兆位范围的密度，与美光、三星、SK海力士等公司制造的传统DRAM的10纳米以下制造工艺兼容。通过消除刷新周期，DRAM+与传统的单晶体管/单电容器DRAM单元相比，可大幅降低静态功耗。主要应用包括需要持久模型权重的AI加速器、具有即时启动要求的汽车ECU以及功率受限的医疗植入物。

Neumonda将贡献其测试平台套件Rhinoe、Octopus和Raptor，用于电气特性和分析，其资本成本低于标准半导体测试设备。目前尚未公布商用DRAM+产品的生产时间表。