SK海力士1c DRAM良率大幅提升至80% 即将进入量产阶段

据报道，SK海力士的1cDRAM模块实现了“惊人的”成品率，使这家韩国巨头成为该领域的主导力量。HBM赛道竞争相当激烈，SK海力士似乎已经成功控制了其他竞争对手。该部门专注于推出HBM4内存模块，据说该标准将带来计算能力的“下一次革命”。

据韩国媒体Hankooki报道，SK海力士已大幅提高1cDRAM的良率，这意味着该公司可以在消费级内存和HBM领域占据优势，尽管该公司预计将利用后者。

据称，10nm第六代DRAM的良率现已达到80%-90%，这是一个巨大的进步，早在2024年下半年该公司的良率就已达到60%。由于目前工厂专注于HBM4的生产，预计“基于1c”的DDR5内存解决方案不会很快进入市场。然而，我们可以看到DRAM技术在HBM4上发挥作用，很可能是更出色的HBM4E。