美光宣布在供应受限的情况下提高 2025-2026 年内存价格

在致客户的一封信中，美光宣布即将上调内存价格，并将持续到2025年和2026年，理由是持续的供应限制以及整个产品组合的需求加速增长。该制造商指出，DRAM、NAND闪存和高带宽内存(HBM)领域的需求大幅增长是定价策略背后的关键驱动因素。

内存市场正在从长期的供应过剩周期中反弹，此前该周期曾压低了整个行业的收入。主要供应商实施的战略性产能削减在过去12个月内促成了价格稳定和随后的上涨。随着数据中心运营商、人工智能部署和消费电子产品制造商争夺有限的内存分配，预计这种定价轨迹将持续下去。

在与渠道合作伙伴的沟通中，美光强调人工智能和HPC要求是导致价格调整的关键因素。该公司已要求合作伙伴提交详细的预测报告，以在受限的市场期间优化生产计划和供应链稳定性。

在定价公告中，美光披露了对新加坡HBM组装工厂70亿美元的投资。该工厂将于2026年开始运营，专注于HBM3E、HBM4和HBM4E的生产——这些先进的内存技术对于NVIDIA、AMD、英特尔和其他初创公司的下一代AI加速器和高性能计算应用至关重要。

价格上涨可能会对整个AI和GPU领域产生连锁反应，可能会提高从消费者游戏系统到企业数据基础设施等产品的成本。我们正在监测这些调整将如何影响硬件更新周期和技术采用率，因为制造商会将增量成本转嫁给最终客户。