所有Galaxy S25 型号都将迎来工艺升级后的LPDDR5X内存

三星正在为所有GalaxyS25机型引入一项重要的规格升级，即为整个产品线标配12GB内存，高于GalaxyS24系列的8GB。这一变化对于在设备上运行人工智能模型以及高效地进行多任务处理意义重大，但根据最新的报道，增加RAM数量并不是韩国人带来的唯一改进。根据最新信息，所有GalaxyS25机型都将保留对LPDDR5X内存的支持，但这些芯片将在改进的光刻技术上量产，从而进一步提高效率和性能。

高通公司的Snapdragon8Elite并非三星正式发布GalaxyS25系列时将外购的唯一主要元件，TheElec报道称，该公司还将从美光采购12纳米LPDDR5XRAM芯片。光刻技术已从13纳米改进到12纳米，这给性能、效率和面积带来了积极的变化。

至于三星为何不在GalaxyS25系列中采用自己的12纳米LPDDR5XRAM芯片，报道提到，这家韩国巨头的最新芯片技术面临散热问题，迫使它只能先从美光公司获得初始供应。

虽然据说三星已经解决了这一问题，但仍有必要从第三方实体获得初始供应，否则该公司将被迫推迟GalaxyS25的上市时间。从多家供应商处采购是一些公司采用的做法，这样可以防止供应链中断，并通过提高竞争来获得更好的元件价格。

不幸的是，三星在这一领域已经落后，这也是为什么其GalaxyS25系列将只会有骁龙8Elite版，而不包括自己的Exynos2500。即将推出的旗舰机将于1月22日发布。