三星和SK海力士在EUV光刻技术领域分道扬镳
三星专注于提高良率,而SK海力士则专注于长期技术进步。韩国两大半导体巨头三星电子和SK海力士在极紫外(EUV)光刻技术上采取了不同的策略,引起了业界的高度关注。这一发展正值两家公司都致力于增强其在高度动态和竞争激烈的半导体市场中的竞争力之际。
作为年终组织重组的一部分,三星电子在全球制造和基础设施总部下成立了一个新的工作组(TF),名为“EUVSynergyTF”。此举被视为提高超精细半导体制造(例如3纳米(nm)代工厂)良率的努力。EUVSynergyTF的任务是监督EUV设备管理,重点是提高光刻和跟踪设备的生产率。该团队的目标是最大限度地提高EUV光刻设备中使用的各种材料和组件的生产率,其中包括ASML独家供应的价值200亿美元的光刻机和东京电子的EUV轨道设备。
三星对EUV技术的承诺体现在其对EUV光刻机的大量投资。该公司已在其华城和平泽工厂购买了30多台EUV光刻机。EUV光刻使用13.5nm波长的光将半导体电路印刷到晶圆上,对于生产更小、更复杂的半导体电路至关重要。三星于2019年将EUV引入其代工工艺,此后在提高其10纳米级第六代DRAM和低于3纳米代工厂的良率方面面临挑战。
相比之下,SK海力士则采取了不同的做法。该公司在今年的组织重组中解散了EUVTF,并将其并入未来技术研究院。此举凸显了SK海力士对长期技术进步的关注,而不是眼前产量的提高。SK海力士于2021年开始将EUV应用于其10纳米级第四代DRAM,目前在利川的M16工厂运营着10多台EUV机器。
展望未来,SK海力士未来技术研究所预计将重点准备推出下一代EUV光刻设备,即高数值孔径机器。SK海力士预计最早将于明年下半年收到其第一台高NA机器。这一战略转变凸显了SK海力士致力于保持技术领先地位并为半导体制造的未来进步做好准备。
三星电子和SK海力士等国内存储器行业在NAND衰退期间奉行“降低成本”投资策略。据了解,该公司最近开始致力于大幅减少遗留NAND产量,同时将开工率较低的旧设施改造为最先进的设施。
据业内人士近日透露,三星电子和SK海力士要求主要合作伙伴在今年下半年对现有NAND设施进行改造。
近来,由于PC和智能手机等IT需求低迷,NAND市场价格呈下滑趋势。根据市场研究公司TrendForce的数据,用于存储卡和USB的通用NAND闪存产品(128Gb16Gx8MLC)的平均固定交易价格为2.16美元,环比下降29.80%。
尤其是老款NAND,例如第7代,供应严重过剩。除了IT需求下降之外,日本Kiosia、中国厂商等后来者也加入了竞争。
第7代(V7)NAND是存储存储器的单元堆叠成约170层的NAND。NAND性能随着堆叠更多单元而提高。三星电子和SK海力士将从2021年底开始量产第7代NAND。
相应地,国内存储器行业降低了7代NAND的开工率,并要求合作伙伴进行改造,将闲置的设施用作8代和9代NAND的设施。此外,还决定推迟或减少现有尖端NAND的新设施投资计划。
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