美光宣布开发"尖端"HBM4E 工艺 HBM4计划于2026年量产

美光（Micron）公布了下一代HBM4和HBM4E工艺的最新进展，该公司预计将于2026年开始量产。HBM4有望带来最先进的性能和效率数据，而这正是提升人工智能计算能力的途径。美光与SK海力士和三星等公司一样，也在争夺HBM4的主导地位，在最新的投资者会议上，该公司透露，他们的HBM4开发已步入正轨，HBM4E的"工作也已开始"。

美光表示：

凭借在成熟的1β工艺技术方面的坚实基础和持续投资，我们预计美光的HBM4将在上市时间和能效方面保持领先地位，同时性能比HBM3E提升50%以上。我们预计HBM4将于2026年大批量上市。

HBM4E将紧随HBM4之后推出。HBM4E将通过采用台积电先进的逻辑代工制造工艺，为某些客户提供定制逻辑基础芯片的选择，从而为存储器业务带来模式转变。我们预计这种定制能力将提高美光的财务业绩。

HBM4在许多方面都具有革命性意义，但值得注意的一点是，业界计划将内存和逻辑半导体集成到一个封装中。这意味着不再需要封装技术，而且鉴于单个芯片将更接近于这种实现方式，它将被证明具有更高的性能效率。这就是美光提到他们将使用台积电作为"逻辑半导体"供应商的原因，与SKHynix采用的供应商类似。

美光还提到了HBM4E工艺的存在，成为唯一一家与SKHynix一起率先披露该技术发展情况的公司。虽然我们目前还不清楚美光的HBM4产品线规格，但该公司透露，HBM4预计将堆叠多达16个DRAM芯片，每个芯片的容量为32GB，并采用2048位宽接口，这使得该技术比上一代产品更加优越。

在应用方面，HBM4预计将与AMD的InstinctMI400Instinct系列一起出现在英伟达的RubinAI架构中，目前，HBM的需求正处于高峰期，美光公司自己也透露了到2025年的生产线预订情况，因此，未来甚至会更加光明。