ASML庆祝Twinscan NXE:3800E Low-NA EUV Litho光刻设备首次安装成功
上周,ASML庆祝了一个重要的里程碑--该公司的社交媒体账户分享了其第三代极紫外光(EUV)光刻工具到达一位未具名客户的消息。帖子包括几张照片--ASML工人聚集在一对恒温集装箱前,PeterWennink(总裁兼首席执行官)和ChristopheFouquet(执行副总裁兼CBO)向公司总部的员工表示感谢。
"芯片制造商需要速度!第一台TwinscanNXE:3800E现已安装在一家芯片制造厂。凭借其新型晶圆平台,该系统将为先进芯片的印刷提供领先的生产率。我们正在将光刻技术推向新的极限。"
TwinscanNXE:3800E是ASML0.33数值孔径(Low-NA)光刻扫描仪系列中的最新平台。相关信息很少,因为ASML公司尚未发布3800E产品页面。
而前一个型号--TwinscanNXE:3600D支持3纳米和5纳米的EUV量产。ASML的路线图表明,TwinscanNXE:3800E是为生产2纳米和3纳米级技术的芯片而设计的。该公司最先进的高纳极致紫外线(EUV)芯片制造工具(HighNATwinscanEXE)预计成本约为3.8亿美元。上个月的报道指出,现有的低纳极致紫外线光刻系统"的价格可能为1.83亿美元。
另一台低噪点EUV设备将于2026年发布--ASML的下一代TwinscanNXE:4000F型号将与新兴的(更昂贵的)高噪点解决方案并存。
责任编辑:站长云网
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